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    本發明係有關於一種包含顯示面板的影像顯示系統及其製造方法，顯示面板具有複數個畫素，該方法包括在每一列的畫素中形成第一閘極線與第二閘極線，這些第一閘極線與第二閘極線各自獨立且互相電性隔絕，形成第一絕緣層覆蓋於第一閘極線與第二閘極線上方，在第一絕緣層內形成複數個導通孔，暴露出第一閘極線與第二閘極線，在第一絕緣層上形成第一導電圖案，並經由導通孔使得每一列畫素的第一閘極線與相鄰列畫素的第二閘極線互相電性連接。
    公开号:TW201303430A
    申请号:TW100124558
    申请日:2011-07-12
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Ming-Chang Lin；Chih-Wei Ho；Ching-Hung Teng；Te-Hung Peng；Chao-Yi Hung
    申请人:Chimei Innolux Corp；
    IPC主号:G02F1-00
    专利说明:
    影像顯示系統及其製造方法
    本發明係有關於一種包含顯示面板的影像顯示系統，特別有關於一種使用電荷共享技術的液晶顯示面板之閘極線設計。
    電荷共享(charge sharing)技術是目前廣泛應用在液晶顯示面板的廣視角技術中的一種方式，其需要對兩條閘極線(gate line)輸入相同的閘極訊號，其中一條閘極線設置在一畫素的主要區中，作為此畫素之驅動薄膜電晶體的閘極訊號的輸入來源，另一條閘極線則設置在此畫素的前一列畫素的次要區中，作為前一列畫素之降壓用薄膜電晶體的閘極訊號的輸入來源。若這兩條閘極線的其中一條出現異常，則會造成顯示影像的水平亮/暗線，影響顯示品質。
    在目前的製程中，傳輸相同閘極訊號的兩條閘極線在微影與蝕刻製程後就連接在一起，當進行閘極線的斷路及短路測試(open-short test)時，若這兩條閘極線的其中一條發生斷路，則輸入的電性測試訊號仍然可以經由另一條閘極線傳送，因此無法檢測出斷路問題，需等待後續液晶顯示面板製作完成後，才能檢測出畫面的缺陷。
    因此，習知的電荷共享技術之閘極線設計無法在液晶顯示面板製作完成之前檢測出閘極線的斷路問題，造成液晶顯示面板報廢或顯示品質下降。
    有鑑於此，本發明提供一種影像顯示系統的製造方法，包含形成顯示面板，此方法可以克服上述習知的電荷共享技術之閘極線設計的問題，在液晶顯示面板製作完成之前檢測出閘極線的斷路問題，避免液晶顯示面板報廢或顯示品質下降。
    依據本發明之實施例，提供一種影像顯示系統的製造方法，包含形成顯示面板，顯示面板具有複數個畫素，此方法包括；在每一列的畫素中形成第一閘極線與第二閘極線，其中這些第一閘極線與第二閘極線各自獨立且互相電性隔絕；形成絕緣層覆蓋於第一閘極線與第二閘極線上方；在絕緣層內形成複數個導通孔，分別暴露出第一閘極線與第二閘極線；以及在絕緣層上形成第一導電圖案，第一導電圖案經由這些導通孔使得每一列畫素的第一閘極線與相鄰列畫素的第二閘極線互相電性連接。
    依據本發明之實施例，更提供一種影像顯示系統，包含顯示面板，顯示面板具有複數個畫素，且此顯示面板包括：第一閘極線與第二閘極線設置於每一列的畫素中，其中這些第一閘極線與該些第二閘極線各自隔開；絕緣層設置於第一閘極線與第二閘極線上方；複數個導通孔設置於絕緣層內，分別暴露出第一閘極線與第二閘極線；以及第一導電圖案設置於絕緣層上，第一導電圖案經由這些導通孔使得每一列畫素的第一閘極線與相鄰列畫素的第二閘極線互相電性連接。
    為了讓本發明之上述目的、特徵、及優點能更明顯易懂，以下配合所附圖式，作詳細說明如下：
    本發明之實施例於顯示面板的陣列基板側之微影與蝕刻製程中，將用於傳輸相同閘極訊號的兩條閘極線先電性隔絕，接著對這些閘極線進行斷路及短路測試後，將電性異常的閘極線修補，之後再利用另一導電層電性連接每一列畫素的第一閘極線與相鄰列畫素的第二閘極線，達到電荷共享的目的。
    請參閱第1圖，其顯示本發明一實施例之顯示面板100的閘極線佈局之平面示意圖。顯示面板100具有複數個畫素102，這些畫素102排列成複數個行與列，在每一列的畫素中設置有兩條閘極線，例如第A列畫素中具有兩條閘極線，分別為第一閘極線104A與第二閘極線106A，第B列畫素中具有第一閘極線104B與第二閘極線106B，並且每個畫素102都具有至少兩個薄膜電晶體，例如第A列的一個畫素102A中具有此畫素102A的驅動薄膜電晶體140A以及此畫素102A的降壓用薄膜電晶體142A；第B列的一個畫素中具有此畫素的驅動薄膜電晶體140B以及此畫素的降壓用薄膜電晶體142B，其中畫素102A的驅動薄膜電晶體140A之閘極接收來自第一閘極線104A的閘極訊號，而畫素102A的降壓用薄膜電晶體142A之閘極則接收來自第二閘極線106A的閘極訊號。
    依據本發明之實施例，在微影與蝕刻製程後所形成的每一條閘極線，例如第一閘極線104A、104B、104C以及第二閘極線106D、106A、106B都是各自獨立且電性隔絕，再對每一條閘極線進行斷路與短路測試，並針對電性異常的閘極線進行修補後，如第1圖所示，利用第一導電圖案108將每一列畫素中的第一閘極線與相鄰的前一列畫素中的第二閘極線電性連接，例如第A列畫素中的第一閘極線104A與其相鄰的前一列畫素中的第二閘極線106D經由第一導電圖案108電性連接，使得第一閘極線104A與第二閘極線106D可以接收相同的閘極訊號。同樣地，第B列畫素中的第一閘極線104B與第A列畫素中的第二閘極線106A也經由第一導電圖案108電性連接而接收相同的閘極訊號。依據本發明之實施例，顯示面板100的左右側都具有複數個第一導電圖案108，用於電性連接在每一列畫素中的第一閘極線與相鄰列畫素中的第二閘極線。
    在畫素102A中，其驅動薄膜電晶體140A的閘極接收第一閘極線104A傳輸的閘極訊號而啟動，而降壓用薄膜電晶體142A的閘極則接收第二閘極線106A傳輸的閘極訊號而啟動，由於第二閘極線106A是與下一列亦即第B列畫素中的第一閘極線104B接收相同的閘極訊號，因此在畫素102A中，降壓用薄膜電晶體142A會比驅動薄膜電晶體140A稍慢啟動，達到電荷分享的目的。
    請參閱第2圖，其顯示依據本發明之一實施例，包含顯示面板100的影像顯示系統之製造方法200的流程圖。首先，在步驟S201中，於顯示面板100的陣列(Array)基板側形成複數條如第1圖所示之第一閘極線與第二閘極線，這些第一閘極線與第二閘極線各自獨立且互相電性隔絕。此時，可以對這些第一閘極線與第二閘極線進行斷路與短路的電性檢測，若發現電性異常，則可以立即對異常的閘極線進行修補步驟。
    在步驟S202中，形成絕緣層覆蓋在這些第一閘極線與第二閘極線上方。接著，在步驟S203中，於絕緣層內形成複數個導通孔，暴露出第一閘極線與第二閘極線。
    然後，在步驟S204中，於絕緣層上形成第一導電圖案，經由這些導通孔電性連接每一列畫素的第一閘極線與相鄰列畫素的第二閘極線，如第1圖所示，經由第一導電圖案108將第B列中的第一閘極線104B與其相鄰的前一列第A列中的第二閘極線106A電性連接。
    參閱第3A圖，其顯示依據本發明之一實施例，第1圖的框線區域E之放大平面示意圖。如第3A圖所示，第一閘極線104B與第二閘極線106A分別具有突出部分4B及6A，突出部分4B及6A介於第一閘極線104B與第二閘極線106A之間，並且這兩個突出部分4B及6A互相對齊排列成一直線。絕緣層(未繪出)內的導通孔110也設置在這兩個突出部分4B及6A上，並且第一導電圖案108覆蓋在這兩個突出部分4B及6A上方。
    接著，參閱第3B圖，其顯示依據本發明之一實施例，，沿著第3A圖的剖面線3-3’，顯示面板100的陣列基板側之剖面示意圖。如第3B圖所示，首先，在基板120上形成第一閘極線104B與第二閘極線106A，可藉由先沈積金屬層在基板120上，然後以微影與蝕刻製程將金屬層圖案化而形成第一閘極線104B與第二閘極線106A。此時，在基板120上所形成的複數條第一與第二閘極線各自獨立且互相電性隔絕。
    接著，形成絕緣層122覆蓋在第一閘極線104B與第二閘極線106A上，絕緣層122的材料可以是氮化矽、氧化矽或前述之組合。然後，在絕緣層122中形成複數個導通孔110，分別暴露出第一閘極線104B與第二閘極線106A。雖然第3A圖中顯示在第一閘極線104B與第二閘極線106A上分別具有多個導通孔110。
    然後，在絕緣層122上形成第一導電圖案108，第一導電圖案108經由導通孔110電性連接每一列畫素的第一閘極線104B與相鄰列畫素的第二閘極線106A，第一導電圖案108的材料可以是透明導電材料或金屬材料，透明導電材料例如為銦錫氧化物(indium tin oxide，簡稱ITO)或銦鋅氧化物(indium zinc oxide，簡稱IZO)，其可以是形成畫素電極的材料，因此，第一導電圖案108可藉由畫素電極的製程同時完成。另外，導電層108也可以藉由顯示面板100中的其他金屬層的製程同時完成。
    參閱第3C圖，其顯示依據本發明之另一實施例，第1圖的框線區域E之放大平面示意圖。如第3C圖所示，第一閘極線104B與第二閘極線106A不具有突出部分，絕緣層(未繪出)內的導通孔110直接設置在第一閘極線104B與第二閘極線106A上，並且第一導電圖案108覆蓋在第一閘極線104B與第二閘極線106A上方，第一導電圖案108經由導通孔110電性連接每一列畫素中的第一閘極線104B與相鄰列畫素中的第二閘極線106A。
    接著，參閱第3D圖，其顯示依據本發明之一實施例，，沿著第3C圖的剖面線3-3’，顯示面板100的陣列基板側之剖面示意圖。第3D圖與第3B圖的差別在於絕緣層122內的複數個導通孔110的位置不同，第3D圖之實施例中的導通孔110是直接形成於第一閘極線104B與第二閘極線106A上，而不是形成於第一閘極線104B的突出部分4B與第二閘極線106A的突出部分6A上。
    後續的實施例係以具有突出部分的第一閘極線104B與第二閘極線106A為例進行說明，然而，在後續的實施例中，第一閘極線104B與第二閘極線106A也可以不具有突出部分。
    參閱第4A圖，其顯示依據本發明之一實施例，第1圖的框線區域E之放大平面示意圖。如第4A圖所示，第一閘極線104B與第二閘極線106A分別具有突出部分4B及6A，這兩個突出部分4B及6A互相平行排列。絕緣層(未繪出)內的導通孔110也設置在這兩個突出部分4B及6A上，並且第一導電圖案108覆蓋在這兩個突出部分4B及6A上方。第4A圖與第3A圖的差異在於利用突出部分4B及6A的圖案設計，使得第一閘極線104B與第二閘極線106A之間橋接的面積增加。
    接著，參閱第4B圖，其顯示依據本發明之一實施例，沿著第4A圖的剖面線4-4’，顯示面板100的陣列基板側之剖面示意圖。如第4B圖所示，在基板120上形成第一閘極線104B與第二閘極線106A，此時，在基板120上所形成的複數條第一與第二閘極線各自獨立且互相電性隔絕。
    接著，形成絕緣層122覆蓋第一閘極線104B與第二閘極線106A，然後在絕緣層122中形成複數個導通孔110，分別暴露出第一閘極線104B與第二閘極線106A。
    接著，在絕緣層122上形成第一導電圖案108，第一導電圖案108經由導通孔110電性連接每一列畫素中的第一閘極線104B與相鄰列畫素中的第二閘極線106A，使得第一閘極線104B與第二閘極線106A接收相同的閘極訊號。第一導電圖案108的材料可以是透明導電材料或金屬材料，當第一導電圖案108由透明導電材料形成時，可藉由畫素電極的製程同時形成第一導電圖案108。
    參閱第5A圖，其顯示依據本發明之一實施例，第1圖的框線區域E之放大平面示意圖。如第5A圖所示，在第一閘極線104B的突出部分4B與第二閘極線106A的突出部分6A之間還具有第二導電圖案112，第二導電圖案112與第一閘極線104B的突出部分4B以及第二閘極線106A的突出部分6A之間沒有重疊，並且相隔一間距，第二導電圖案112的材料可以是金屬材料或透明導電材料，透明導電材料例如為銦鎵鋅氧化物(InGaZnO；IGZO)。絕緣層(未繪出)內的導通孔110及114分別設置在這兩個突出部分4B、6A與第二導電圖案112上，並且作為橋接用的第一導電圖案108覆蓋在這兩個突出部分4B、6A以及第二導電圖案112上方。第5A圖與第3A圖的差異在於第一閘極線104B與第二閘極線106A之間設置了第二導電圖案112，第二導電圖案112可以降低第一閘極線104B與第二閘極線106A之間的橋接阻抗。
    接著，參閱第5B圖，其顯示依據本發明之一實施例，沿著第5A圖的剖面線5-5’，顯示面板100的陣列基板側之剖面示意圖。如第5B圖所示，首先，在基板120上形成第一閘極線104B與第二閘極線106A，此時，在基板120上所形成的複數條第一與第二閘極線各自獨立且互相電性隔絕。
    接著，形成絕緣層122覆蓋第一閘極線104B與第二閘極線106A，然後在絕緣層122上形成第二導電圖案112，第二導電圖案112的位置介於第一閘極線104B與第二閘極線106A之間，第二導電圖案112可藉由顯示面板100中的其他金屬層的製程同時形成。之後，形成絕緣層124覆蓋在第二導電圖案112上以及第一閘極線104B與第二閘極線106A上方。絕緣層122與124的材料可以是氮化矽、氧化矽或前述之組合。
    在絕緣層122與124內形成複數個導通孔110，暴露出第一閘極線104B與第二閘極線106A，並且在絕緣層124內形成複數個導通孔114，暴露出第二導電圖案112。為了簡化圖式，在第5B圖的第一閘極線104B、第二閘極線106A以及第二導電圖案112上僅分別顯示出一個導通孔110及114。
    接著，在絕緣層124上形成第一導電圖案108，第一導電圖案108經由導通孔110及114電性連接第一閘極線104B、第二導電圖案112與第二閘極線106A，第一導電圖案108的材料可以是透明導電材料或金屬材料，當第一導電圖案108由透明導電材料形成時，可藉由畫素電極的製程同時形成第一導電圖案108。
    參閱第6A圖，其顯示依據本發明之一實施例，第1圖的框線區域E之放大平面示意圖。如第6A圖所示，在第一閘極線104B的突出部分4B與第二閘極線106A的突出部分6A之間還具有第二導電圖案112，第二導電圖案112與第一閘極線104B的突出部分4B以及第二閘極線106A的突出部分6A部分地重疊，第二導電圖案112的材料例如為金屬材料。
    絕緣層(未繪出)內的導通孔110及114分別設置在這兩個突出部分4B、6A與第二導電圖案112上，並且作為橋接用的第一導電圖案108覆蓋在這兩個突出部分4B、6A以及第二導電圖案112上方。第6A圖與第5A圖的差異在於第二導電圖案112與第一閘極線104B及第二閘極線106A有部分的重疊，當電性連接第一閘極線104B與第二閘極線106A的第一導電圖案108失效時，可使用雷射光束照射的方式，使得第二導電圖案112與第一閘極線104B及第二閘極線106A的重疊處產生熔融接合(welding)，進而電性連接第一閘極線104B與第二閘極線106A，因此可更進一步地提升產品的良率。
    接著，參閱第6B圖，其顯示依據本發明之一實施例，沿著第6A圖的剖面線6B-6B’，顯示面板100的陣列基板側之剖面示意圖。如第6B圖所示，在基板120上形成第一閘極線104B與第二閘極線106A，此時，在基板120上所形成的複數條第一與第二閘極線各自獨立且互相電性隔絕。
    接著，形成絕緣層122覆蓋第一閘極線104B與第二閘極線106A，然後在絕緣層122上形成第二導電圖案112，第二導電圖案112的位置介於第一閘極線104B與第二閘極線106A之間，並且與第一閘極線104B及第二閘極線106A部分地重疊。之後，形成絕緣層124覆蓋在第二導電圖案112上以及第一閘極線104B與第二閘極線106A上方。
    在絕緣層122與124內形成複數個導通孔110，暴露出第一閘極線104B與第二閘極線106A，並且在絕緣層124內形成複數個導通孔114，暴露出第二導電圖案112，導通孔114的長度約為第二導電圖案112長度的50%以上。為了簡化圖式，在第6B圖的第一閘極線104B、第二閘極線106A以及第二導電圖案112上僅分別顯示出一個導通孔110及114。
    接著，在絕緣層124上形成第一導電圖案108，第一導電圖案108經由導通孔110及114電性連接第一閘極線104B、第二導電圖案112與第二閘極線106A，第一導電圖案108的材料可以是透明導電材料或金屬材料，當第一導電圖案108由透明導電材料形成時，可藉由畫素電極的製程同時形成第一導電圖案108。
    當第一導電圖案108電性連接第一閘極線104B與第二閘極線106A失效時，可在第二導電圖案112與第一閘極線104B及第二閘極線106A的重疊處，從基板120側進行雷射光束照射製程130，使得第二導電圖案112與第一閘極線104B及第二閘極線106A之間產生熔融接合(welding)，進而電性連接第一閘極線104B與第二閘極線106A。
    參閱第6C圖，其顯示依據本發明之一實施例，沿著第1圖的剖面線6C-6C’，包含驅動薄膜電晶體140B之顯示面板的陣列基板側之剖面示意圖。在第6C圖中，第一閘極線104B與第二閘極線106A的電性連接結構6A係以第6B圖為例說明，在此不再重述。然而，第6C圖中的電性連接結構6A也可以使用前述第一閘極線104B與第二閘極線106A電性連接的各種實施例取代。如第6C圖所示，薄膜電晶體結構140B包含閘極104形成於基板120上，絕緣層122覆蓋在閘極104上，半導體層123形成於絕緣層122上，源極112S與汲極122D形成於半導體層123上，絕緣層124覆蓋於源極112S與汲極122D上，並且在絕緣層124中形成導通孔114P暴露出一部份的汲極122D，畫素電極108P形成於絕緣層124上，並且經由導通孔114P與汲極122D電性連接。
    依據本發明之實施例，第二導電圖案112、源極112S以及汲極122D可由同一道製程形成，導通孔110、114以及114P也可由同一道製程形成，此外，畫素電極108P與第一導電圖案108也可由同一道製程形成。因此，本發明各種實施例之每一列畫素的第一閘極線與相鄰列畫素的第二閘極線之電性連接結構可以利用驅動薄膜電晶體與降壓用薄膜電晶體的製程完成，相較於習知的薄膜電晶體製程，本發明之實施例不需增加額外的製程步驟，只需要改變光罩的圖案設計即可完成，可以與習知的顯示面板之製程步驟相容。此外，本發明之實施例還可以確保第一閘極線與第二閘極線不會有斷路的問題發生，提升顯示面板的良率。
    在本發明一實施例之顯示面板100中，除了上述陣列基板以外，還包括彩色濾光片基板與陣列基板對向設置，並且在彩色濾光片基板與陣列基板之間夾設液晶層，此外，還可包含一對偏光片分別設置於彩色濾光片基板與陣列基板外側，以完成液晶顯示面板的製作。
    綜上所述，本發明實施例之製造方法可以在液晶顯示面板組立完成之前，檢測出斷路以及/或短路的第一閘極線與第二閘極線，並針對異常的閘極線進行修補，之後再藉由第一導電圖案電性連接第一列畫素中的第一閘極線與相鄰列畫素中的第二閘極線，並且第一導電圖案的製作可藉由畫素電極的製程同時完成，不需增加額外的製程步驟。因此，依據本發明之實施例，可以有效地避免液晶顯示面板報廢並提升良率。
    接著請參閱第7圖，其為依據本發明之影像顯示系統500的配置示意圖，其中包含顯示器400，例如為液晶顯示器，其含有根據本發明之實施例的液晶顯示面板100，顯示器400可為電子裝置的一部份。一般而言，影像顯示系統500包含顯示器400及控制單元300，控制單元與顯示器400耦接，以傳輸訊號至顯示器，使顯示器顯示影像。上述之電子裝置可為行動電話、數位相機、個人數位助理(PDA)、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、車用顯示器或可攜式DVD播放機。
    雖然本發明已揭露較佳實施例如上，然其並非用以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
    100．．．顯示面板
    102、102A．．．畫素
    104．．．閘極
    104A、104B、104C．．．第一閘極線
    106A、106B、106D．．．第二閘極線
    4B．．．第一閘極線104B的突出部分
    6A．．．第二閘極線106A的突出部分
    108．．．第一導電圖案
    108P．．．畫素電極
    110、114、114P．．．導通孔
    112．．．第二導電圖案
    112S．．．源極
    112D．．．汲極
    120．．．基板
    122、124．．．絕緣層
    123．．．半導體層
    130．．．雷射光束照射
    140A、140B．．．驅動薄膜電晶體
    142A、142B．．．降壓用薄膜電晶體
    6A．．．第一閘極線與第二閘極線的電性連接結構
    200．．．方法
    S201、S202、S203、S204．．．方法200的各步驟
    300．．．控制單元
    400．．．顯示器
    500．．．影像顯示系統
    第1圖係顯示依據本發明之一實施例，顯示面板的閘極線佈局之平面示意圖。
    第2圖係顯示依據本發明之一實施例，包含顯示面板的影像顯示系統之製造方法流程圖。
    第3A圖係顯示依據本發明之一實施例，第1圖的框線區域E之放大平面示意圖。
    第3B圖係顯示依據本發明之一實施例，沿著第3A圖的剖面線3-3’，顯示面板的陣列基板側之剖面示意圖。
    第3C圖係顯示依據本發明之一實施例，第1圖的框線區域E之放大平面示意圖。
    第3D圖係顯示依據本發明之一實施例，沿著第3C圖的剖面線3-3’，顯示面板的陣列基板側之剖面示意圖。
    第4A圖係顯示依據本發明之一實施例，第1圖的框線區域E之放大平面示意圖。
    第4B圖係顯示依據本發明之一實施例，沿著第4A圖的剖面線4-4’，顯示面板的陣列基板側之剖面示意圖。
    第5A圖係顯示依據本發明之一實施例，第1圖的框線區域E之放大平面示意圖。
    第5B圖係顯示依據本發明之一實施例，沿著第5A圖的剖面線5-5’，顯示面板的陣列基板側之剖面示意圖。
    第6A圖係顯示依據本發明之一實施例，第1圖的框線區域E之放大平面示意圖。
    第6B圖係顯示依據本發明之一實施例，沿著第6A圖的剖面線6B-6B’，顯示面板的陣列基板側之剖面示意圖。
    第6C圖係顯示依據本發明之一實施例，沿著第1圖的剖面線6C-6C’，包含薄膜電晶體之顯示面板的陣列基板側之剖面示意圖。
    第7圖係顯示依據本發明之一實施例，包含顯示面板的影像顯示系統之配置示意圖。
    200．．．方法
    S201、S202、S203、S204．．．方法200的各步驟
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種影像顯示系統的製造方法，包含形成一顯示面板，該顯示面板具有複數個畫素，該方法包括：在每一列的該些畫素中形成一第一閘極線與一第二閘極線，其中該些第一閘極線與該些第二閘極線各自獨立且互相電性隔絕；形成一第一絕緣層，覆蓋於該第一閘極線與該第二閘極線上方；在該第一絕緣層內形成複數個導通孔，分別暴露出該第一閘極線與該第二閘極線；以及在該第一絕緣層上形成一第一導電圖案，該第一導電圖案經由該些導通孔使得每一列該些畫素的該第一閘極線與相鄰列該些畫素的該第二閘極線互相電性連接。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統的製造方法，更包括：在該第一絕緣層與該第一導電圖案之間形成一第二導電圖案，且其中該第二導電圖案位於該第一閘極線與該第二閘極線之間；在該第二導電圖案與該第一導電圖案之間形成一第二絕緣層；以及在該第二絕緣層內形成複數個導通孔，分別暴露出該第一閘極線、該第二導電圖案與該第二閘極線，其中該第一導電圖案經由該第一絕緣層與該第二絕緣層中的該些導通孔使得每一列該些畫素的該第一閘極線與相鄰列該些畫素的該第二閘極線以及該第二導電圖案電性連接。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之影像顯示系統的製造方法，其中該第二導電圖案與該第一閘極線及該第二閘極線相隔一間距或部分地重疊。
    [4] 如申請專利範圍第3項所述之影像顯示系統的製造方法，其中該第二導電圖案與該第一閘極線及該第二閘極線部分地重疊，且更包括使用一雷射光束照射該第二導電圖案與該第一閘極線及該第二閘極線的一重疊處，使得該重疊處產生熔融接合，以電性連接該第二導電圖案與該第一閘極線及該第二閘極線。
    [5] 如申請專利範圍第2項所述之影像顯示系統的製造方法，其中該第二絕緣層內包括一個或一個以上的導通孔暴露出該第二導電圖案。
    [6] 如申請專利範圍第5項所述之影像顯示系統的製造方法，其中該第二絕緣層內僅具有一個導通孔暴露出該第二導電圖案，且該導通孔的長度為該第二導電圖案的長度的50%以上。
    [7] 如申請專利範圍第2項所述之影像顯示系統的製造方法，其中該第一導電圖案與該第二導電圖案的材料包括透明導電材料或金屬材料。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統的製造方法，其中該第一閘極線及該第二閘極線分別具有一突出部分介於該第一閘極線與該第二閘極線之間，且該第一絕緣層內的該些導通孔形成於該第一閘極線的該突出部分與該第二閘極線的該突出部分上。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述之影像顯示系統的製造方法，其中該第一閘極線的該突出部分與該第二閘極線的該突出部分互相對齊排列或互相平行排列。
    [10] 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統的製造方法，其中該第一絕緣層內的該些導通孔直接形成於該第一閘極線及該第二閘極線上。
    [11] 一種影像顯示系統，包含：一顯示面板，具有複數個畫素，該顯示面板包括：一第一閘極線與一第二閘極線，設置於每一列的該些畫素中，其中該些第一閘極線與該些第二閘極線各自隔開；一第一絕緣層，設置於該第一閘極線與該第二閘極線上方；複數個導通孔，設置於該第一絕緣層內，分別暴露出該第一閘極線與該第二閘極線；以及一第一導電圖案，設置於該第一絕緣層上，該第一導電圖案經由該些導通孔使得每一列該些畫素的該第一閘極線與相鄰列該些畫素的該第二閘極線互相電性連接。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述之影像顯示系統，更包括：一第二導電圖案，設置於該第一絕緣層與該第一導電圖案之間，其中該第二導電圖案位於該第一閘極線與該第二閘極線之間；一第二絕緣層，設置於該第二導電圖案與該第一導電圖案之間；以及複數個導通孔，設置於該第二絕緣層內，分別暴露出該第一閘極線、該第二導電圖案及該第二閘極線，其中該第一導電圖案經由該第一絕緣層與該第二絕緣層中的該些導通孔使得每一列該些畫素的該第一閘極線與相鄰列該些畫素的該第二閘極線以及該第二導電圖案電性連接。
    [13] 如申請專利範圍第12項所述之影像顯示系統，其中該第二導電圖案與該第一閘極線及該第二閘極線相隔一間距或部分地重疊。
    [14] 如申請專利範圍第12項所述之影像顯示系統，其中該第二絕緣層內包括一個或一個以上的導通孔暴露出該第二導電圖案。
    [15] 如申請專利範圍第14項所述之影像顯示系統，其中其中該第二絕緣層內僅具有一個導通孔暴露出該第二導電圖案，且該導通孔的長度為該第二導電圖案的長度的50%以上。
    [16] 如申請專利範圍第11項所述之影像顯示系統，其中該第一閘極線及該第二閘極線的材料包括金屬材料。
    [17] 如申請專利範圍第12項所述之影像顯示系統，其中該第一導電圖案與該第二導電圖案的材料包括透明導電材料或金屬材料。
    [18] 如申請專利範圍第11項所述之影像顯示系統，其中該第一閘極線及該第二閘極線分別具有一突出部分介於該第一閘極線與該第二閘極線之間，且該第一絕緣層內的該些導通孔設置於該第一閘極線的該突出部分與該第二閘極線的該突出部分上，其中該第一閘極線的該突出部分與該第二閘極線的該突出部分互相對齊排列或互相平行排列。
    [19] 如申請專利範圍第11項所述之影像顯示系統，其中該第一絕緣層內的該些導通孔直接設置於該第一閘極線及該第二閘極線上。
    [20] 如申請專利範圍第11項所述之影像顯示系統，更包含一電子裝置，該電子裝置包含：一顯示器，該顯示器包含該顯示面板；以及一控制單元，與該顯示器耦接，其中該控制單元傳輸訊號至該顯示器，以使該顯示器顯示影像。
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    引用文献:
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